Китай

Радіокомпоненти

1N4148 V-100В, I-0,2A, 8nS, 125MHz, DO-35 діод

1N4148 V-100В, I-0,2A, 8nS, 125MHz, DO-35 діод

1.00 грн.

Діод - це універсальний електронний пристрій, призначенням якого є передача електричного струму, тіл..

Прямой ток, мАА - 150-500 / Напруга, В - 75-100 / Корпус - do35 / Максимальное время обратного восстановления, мкс - 0.004 / Максимальное прямое напряжение, В - 1
1N4148-0805 V-75В, I-0,15A, 4nS, 125MHz, SMD діод

1N4148-0805 V-75В, I-0,15A, 4nS, 125MHz, SMD діод

2.00 грн.

Діод - це універсальний електронний пристрій, призначенням якого є передача електричного струму, тіл..

Прямой ток, мАА - 0.15 / Вид - імпульсний / Время готовности, нс - 4 / Импульсный ток, А - 0.5 / Корпус - SMD
FAIR FGH40N60UFDTU V-600B I-80A IGBT транзистор

FAIR FGH40N60UFDTU V-600B I-80A IGBT транзистор

76.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Вид - транзисторні модулі IGBT / Макс. напряжение коллектор-эмиттер, V - 600 / Макс. постоянный ток диода (100°С), А - 20 / Макс. ток коллектора (100°C), A - 40 / Макс. ток коллектора (25°C), A - 80
FAIR FQP4N90C V-900B,I-4A MOSFET транзистор

FAIR FQP4N90C V-900B,I-4A MOSFET транзистор

45.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Вид - MOSFET / Выходная емкость, пФ - 65,0 / Диапазон номинальных напряжений затвора, В - 10 / Заряд затвора, нКл - 17 / Конфигурация и полярность - N
FUJI FMH23N50E V-500B,I-23A TO-3P MOSFET транзистор

FUJI FMH23N50E V-500B,I-23A TO-3P MOSFET транзистор

76.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Вид - MOSFET / Батарея - 111 / Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В - 30,0 / Максимально допустимое напряжение сток-исток, В - 500,0 / Максимально допустимый ток стока, А - 23,0
Hitano R-100Ом ±5% 10Вт

Hitano R-100Ом ±5% 10Вт

15.00 грн.

Резистор - це пасивний електричний компонент, який створює опір проходженню електричного струму. Пра..

Номінальна робоча напруга, В - 1500 / Робоча напруга max, В - 1000 / Мощность, Вт - 10 / Розміри, мм - 48,0х10,0х9,5 /
KBPC3510 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

KBPC3510 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

24.00 грн.

У різних побутових або промислових пристроях застосовуються різноманітні схеми з використанням елект..

Вид - однофазний / Максимальное обратное напряжение, В - 700 / Максимальный обратный ток утечки - 10 / Максимальный ток перегрузки - 500 / Непрерывный ток в прямом - 35
KBPC5010 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

KBPC5010 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

30.00 грн.

У різних побутових або промислових пристроях застосовуються різноманітні схеми з використанням елект..

Вид - однофазний / Диапазон температур перехода, °C - -55~+125 / Диапазон температур хранения, °C - -55~+150 / Емкость перехода диода, пФ - 300 / Импульсное прямое напряжение, В - 1.1
ONS MC33074ADR2G U-3~44В, 4-x канал, 4.5 МГц, SO14 операційний підсилювач

ONS MC33074ADR2G U-3~44В, 4-x канал, 4.5 МГц, SO14 опе...

55.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Діапазон напруги живлення, В - 3~44 / Кол-во каналов - 4 / Количество выводов - 14 / Корпус - SO14
STM LM258ADT U-3~30В, 2-х канал, 1.1 МГц, 0.6 В/мкс SO8 операційний підсилювач

STM LM258ADT U-3~30В, 2-х канал, 1.1 МГц, 0.6 В/мкс SO8...

7.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Діапазон робочої напруги , В - 3~30 / Входное напряжение смещения, мВ - 1 / Кол-во каналов - 2 / Корпус - SO8
STM LM324ADT U-3~32В, 4-x канал, 1.3 МГц, SO14 операційний підсилювач

STM LM324ADT U-3~32В, 4-x канал, 1.3 МГц, SO14 операці...

6.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Діапазон напруги живлення, В - 3~32 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - SO-14 SOIC14 / Производитель - ST Microelectronics
STM STGW45HF60WD V-600B, I-45A IGBT
TOP

STM STGW45HF60WD V-600B, I-45A IGBT

135.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Вид - IGBT / Время восстановления диода (25°С / tmax), нс - 55 / 140 / Макс. ток коллектора (100°C), A - 45 / Макс. ток коллектора (25°C), A - 70 / Мощность рассеяния при 25°C, Вт - 250
STM TL072CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 2-х канал, 4МГц, SO8 операційний посилювач

STM TL072CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 2-х канал, 4МГц, SO...

8.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Входное напряжение смещения, мВ - 10 / Входной ток смещения, пА - 200 / Выходной ток, А (м/А) - 40 / Кол-во каналов - 2
STM TL084CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 4-х канал, 4МГц, SO14-150 операційний посилювач

STM TL084CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 4-х канал, 4МГц, SO...

8.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Выходной ток смещения, пA - 200 / Выходной ток, А (м/А) - 40 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - SO14
STM UC3843BD1013TR V-1~30В, 500кГц, I-1А ШИМ контроллер

STM UC3843BD1013TR V-1~30В, 500кГц, I-1А ШИМ контроллер...

10.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вихідна напруга (В) - 4.90 ~ 5.10 / Напруга живлення, В - 8,2-30 / Вид - ШИМ-контролер / Время нарастания, нс - 50 / Выходной ток, А (м/А) - 1000
STM UC3844BD1013TR V-11~30В, 500кГц, I-1А, SOIC-8-150 контролер AC/DC

STM UC3844BD1013TR V-11~30В, 500кГц, I-1А, SOIC-8-150 к...

7.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - контролер AC/DC / Напруга живлення, В - 11-30 / Выходной ток, А (м/А) - 0 ~ 1 / Гистерезис защиты по питанию, В - 10 ~ 16 / Корпус - SO8-150
STM UC3845BD1013TR V-8.2~25В, 52кГц, I-1А, SOIC-8-150 контролер AC/DC

STM UC3845BD1013TR V-8.2~25В, 52кГц, I-1А, SOIC-8-150 к...

9.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - контролер AC/DC / Вихідна напруга (В) - 4,90 до 5,10 / Напруга живлення, В - 8,2 ~ 25 / Выходной ток, А (м/А) - 1 / Корпус - SOIC-8-150
Texas Instruments TL072CP V-3,5-18В, 2-х канал, 4МГц, DIP8 операційний підсилювач

Texas Instruments TL072CP V-3,5-18В, 2-х канал, 4МГц, D...

5.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Входное напряжение смещения, мВ - 10 / Входной ток смещения, пА - 200 / Граничная частота усиления, мГц - 3 / Кол-во каналов - 2
Texas Instruments TL084CN V-6-36В, 4-х канал, 4МГц, DIP14

Texas Instruments TL084CN V-6-36В, 4-х канал, 4МГц, DIP...

40.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Напруга живлення, В - 3-36 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - dip14 / Напряжение смещения, мкВ - 7.5
Texas Instruments UC3844D V-16~28В, 500кГц, вихід-3.5В/1А, SO14-150, ШИМ контроллер

Texas Instruments UC3844D V-16~28В, 500кГц, вихід-3.5В/...

85.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Діапазон робочої напруги , В - 10 ~ 28 / Напруга живлення, В - 16 ~ 28 / Вид - ШИМ-контролер / Выходной ток, А (м/А) - 1 / Кол-во каналов - 1
Texas Instruments UC3845AD V-8.2~25В, 450кГц, SOIC-14-150, контролер AC/DC

Texas Instruments UC3845AD V-8.2~25В, 450кГц, SOIC-14-1...

46.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - контролер AC/DC / Вихідна напруга (В) - 5,1 / Напруга живлення, В - min8,2, max 25 / Входное напряжение, В - 25 / Выходной ток, А (м/А) - 200
Texas Instruments UC3845AN V-8.4~30В, I-1A, 500кГц, DIP8, ШИМ-контролер

Texas Instruments UC3845AN V-8.4~30В, I-1A, 500кГц, DIP...

20.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Номінальна робоча напруга, В - 7.6 ~ 30 / Напруга живлення, В - 8.4 ~ 30 / Вид - ШИМ-контролер / Выходной ток, А (м/А) - 1 / Кол-во каналов - 1
Texas Instruments UC3846DW V-8~40В, 450кГц, SOIC-16-300, контролер AC/DC

Texas Instruments UC3846DW V-8~40В, 450кГц, SOIC-16-300...

160.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Робочий цикл, ПН% - 50 / Вид - контролер AC/DC / Время нарастания, нс - 50 / Выходной ток, А (м/А) - 500mA / Корпус - SOIC-16
Texas Instruments UC3846N V-15В, 500кГц, вихід-13.5В/500мА, DIP16, ШИМ контроллер

Texas Instruments UC3846N V-15В, 500кГц, вихід-13.5В/50...

175.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - Шим контролер / Вихідна напруга (В) - 13,5 / Напруга живлення, В - min 7,7 max 40 / Входное напряжение, В - 15 / Выходной ток, А (м/А) - 500
TI LM324N U-3~32В, 4-x канал, 1.4 мА, 1.2 МГц, DIP14 операційний підсилювач

TI LM324N U-3~32В, 4-x канал, 1.4 мА, 1.2 МГц, DIP14 оп...

10.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - операційний підсилювач / Напруга живлення, В - 3~32 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - DIP14 / Напряжение смещения, мкВ - 2
Fairchild FGA60N60UFDTU V-600B, I-120A TO247 IGBT транзистор
TOP

Fairchild FGA60N60UFDTU V-600B, I-120A TO247 IGBT транз...

120.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Время готовности, нс - 23 / Макс. ток коллектора (25°C), A - 120 / Мощность рассеяния при 25°C, Вт - 298 / Напряжение коллектор-эмиттер, V - 600 / Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V - 2,4
Toshiba K2611 MOSFIT транзистор
TOP

Toshiba K2611 MOSFIT транзистор

70.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Вид - транзисторні модулі MOSFIT / Полярність - N / Время нарастания, нс - 135 / Выходная емкость, пФ - 260 / Заряд затвора, нКл - 72
TOSHIBA K3878 V-900В, I-9A, 150Вт MOSFET транзистор
TOP

TOSHIBA K3878 V-900В, I-9A, 150Вт MOSFET транзистор

60.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Вид - транзисторні модулі MOSFET / Максимально допустимое напряжение сток-исток, В - 900,0 / Максимально допустимый ток стока, А - 9,0 / Мощность рассеивания, Вт - 150,0 / Производитель - TOSHIBA
Fairchild FG60N60 SFD IGBT транзистор
TOP

Fairchild FG60N60 SFD IGBT транзистор

135.00 грн.

Транзистор - це один з основних напівпровідникових радіоелементів, який застосовується для підсилень..

Texas Instruments UC3842AN V-11.5~25В, 450кГц, DIP-8, контролер AC/DC

Texas Instruments UC3842AN V-11.5~25В, 450кГц, DIP-8, к...

0.00 грн.

Мікросхема - це мініатюрний електронний пристрій, який виготовляється на напівпровідникових пластина..

Вид - контролер AC/DC / Напруга живлення (акумулятора), В - 11,5-25В / Выходной ток, А (м/А) - 1А / Корпус - DIP-8 / Макс. скважность, % - 100%
Показано від 1 до 30 з 30 (всього сторінок: 1)

Радіокомпоненти

Радіоелектронні компоненти транзистори купити в Україні - Пан Зварювальник pz.ua (067) 535 6 535


Підписка на новини:

Натискаючи на кнопку «Підписатися», я даю Згоду на обробку персональних даних.

Контакти
0
false
false
Вилучити
Змінити