Радиоэлектронные компоненты

1N4148 V-100В, I-0,2A, 8nS, 125MHz, DO-35 диод

1N4148 V-100В, I-0,2A, 8nS, 125MHz, DO-35 диод

1.00грн

Диод – это универсальное электронное устройство, назначением которого является передача электрическо..

Прямой ток, мАА - 150-500 / Напряжение, В - 75-100 / Корпус - do35 / Максимальное время обратного восстановления, мкс - 0.004 / Максимальное прямое напряжение, В - 1
1N4148-0805 V-75В, I-0,15A, 4nS, 125MHz, SMD диод

1N4148-0805 V-75В, I-0,15A, 4nS, 125MHz, SMD диод

2.00грн

Диод – это универсальное электронное устройство, назначением которого является передача электрическ..

Прямой ток, мАА - 0.15 / Вид - импульсный / Время готовности, нс - 4 / Импульсный ток, А - 0.5 / Корпус - SMD
FAIR FGH40N60UFDTU V-600B, I-80A IGBT транзистор

FAIR FGH40N60UFDTU V-600B, I-80A IGBT транзистор

75.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилени..

Вид - транзисторные модули IGBT / Макс. напряжение коллектор-эмиттер, V - 600 / Макс. постоянный ток диода (100°С), А - 20 / Макс. ток коллектора (100°C), A - 40 / Макс. ток коллектора (25°C), A - 80
FAIR FQP4N90C V-900B,I-4A MOSFET транзистор

FAIR FQP4N90C V-900B,I-4A MOSFET транзистор

30.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилени..

Вид - MOSFET / Выходная емкость, пФ - 65,0 / Диапазон номинальных напряжений затвора, В - 10 / Заряд затвора, нКл - 17 / Конфигурация и полярность - N
Fairchild FG60N60 SFD IGBT транзистор
TOP

Fairchild FG60N60 SFD IGBT транзистор

135.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилений..

FUJI 23N50E V-500B,I-23A MOSFET транзистор

FUJI 23N50E V-500B,I-23A MOSFET транзистор

70.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилени..

Вид - транзисторные модули MOSFET / Батарея - 111 / Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В - 30,0 / Максимально допустимое напряжение сток-исток, В - 500,0 / Максимально допустимый ток стока, А - 23,0
FUJI FMH23N50E V-500B,I-23A TO-3P MOSFET транзистор

FUJI FMH23N50E V-500B,I-23A TO-3P MOSFET транзистор

47.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилени..

Вид - MOSFET / Батарея - 111 / Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В - 30,0 / Максимально допустимое напряжение сток-исток, В - 500,0 / Максимально допустимый ток стока, А - 23,0
KBPC3510 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

KBPC3510 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

24.00грн

В различных бытовых или промышленных устройствах применяются разнообразные схемы с использованием ..

Вид - однофазный / Максимальное обратное напряжение, В - 700 / Максимальный обратный ток утечки - 10 / Максимальный ток перегрузки - 500 / Непрерывный ток в прямом - 35
KBPC5010 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

KBPC5010 V-1000В, I-35А (вив-6,4x0,8мм)

30.00грн

В различных бытовых или промышленных устройствах применяются разнообразные схемы с использованием ..

Вид - однофазный / Диапазон температур перехода, °C - -55~+125 / Диапазон температур хранения, °C - -55~+150 / Емкость перехода диода, пФ - 300 / Импульсное прямое напряжение, В - 1.1
ONS MC33074ADR2G U-3~44В, 4-x канал, 4.5 МГц, SO14 операционный усилитель

ONS MC33074ADR2G U-3~44В, 4-x канал, 4.5 МГц, SO14 опе...

55.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых ..

Вид - операционный усилитель / Диапазон напряжения питания, В - 3~44 / Кол-во каналов - 4 / Количество выводов - 14 / Корпус - SO14
ONS-FAIR FGH60N60SMD V-600B, I-60A IGBT транзистор

ONS-FAIR FGH60N60SMD V-600B, I-60A IGBT транзистор

90.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилени..

Макс. ток коллектора (25°C), A - 60 / Максимальное напряжение затвор-эмиттер, V - 20 / Мощность рассеивания, Вт - 600 / Напряжение коллектор-эмиттер, V - 600 / Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V - 1,9
ONS-FAIR FGL40N120ANDTU V-1.2kB, I-64A, TO-264 IGBT транзистор

ONS-FAIR FGL40N120ANDTU V-1.2kB, I-64A, TO-264 IGBT тра...

188.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилени..

Вид - IGBT / Коллекторный ток TC = 100°C, А - 40 / Коллекторный ток TC = 25°C, А - 64 / Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V - 1200 / Общее рассеивание при ТК = 100°С,W - 200
STM LM258ADT U-3~30В, 2-х канал, 1.1 МГц, 0.6 В/мкс SO8 операционный усилитель

STM LM258ADT U-3~30В, 2-х канал, 1.1 МГц, 0.6 В/мкс SO8...

7.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Диапазон рабочего напряжения , В - 3~30 / Входное напряжение смещения, мВ - 1 / Кол-во каналов - 2 / Корпус - SO8
STM LM324ADT U-3~32В, 4-x канал, 1.3 МГц, SO14 операционный усилитель

STM LM324ADT U-3~32В, 4-x канал, 1.3 МГц, SO14 операци...

6.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Диапазон напряжения питания, В - 3~32 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - SO-14 SOIC14 / Производитель - ST Microelectronics
STM STGW45HF60WD V-600B, I-45A IGBT

STM STGW45HF60WD V-600B, I-45A IGBT

88.00грн

Транзистор – это один из основных полупроводниковых радиоэлементов, который применяется для усилений..

Вид - IGBT / Время восстановления диода (25°С / tmax), нс - 55 / 140 / Макс. ток коллектора (100°C), A - 45 / Макс. ток коллектора (25°C), A - 70 / Мощность рассеяния при 25°C, Вт - 250
STM TL072CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 2-х канал, 4МГц, SO8 операционный усилитель

STM TL072CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 2-х канал, 4МГц, SO...

8.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Входное напряжение смещения, мВ - 10 / Входной ток смещения, пА - 200 / Выходной ток, А (м/А) - 40 / Кол-во каналов - 2
STM TL084CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 4-х канал, 4МГц, SO14-150 операционный усилитель

STM TL084CDT Iвх=20пА, Iпотр=1.4мА, 4-х канал, 4МГц, SO...

8.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Выходной ток смещения, пA - 200 / Выходной ток, А (м/А) - 40 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - SO14
STM UC3843BD1013TR V-1~30В, 500кГц, I-1А ШИМ контроллер

STM UC3843BD1013TR V-1~30В, 500кГц, I-1А ШИМ контроллер...

10.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Выходное напряжение (В) - 4.90 ~ 5.10 / Напряжение питания, В - 8,2-30 / Вид - ШИМ-контроллер / Время нарастания, нс - 50 / Выходной ток, А (м/А) - 1000
STM UC3844BD1013TR V-11~30В, 500кГц, I-1А, SOIC-8-150 контролер AC/DC

STM UC3844BD1013TR V-11~30В, 500кГц, I-1А, SOIC-8-150 к...

7.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - контроллер AC/DC / Напряжение питания, В - 11-30 / Выходной ток, А (м/А) - 0 ~ 1 / Гистерезис защиты по питанию, В - 10 ~ 16 / Корпус - SO8-150
STM UC3845BD1013TR V-8.2~25В, 52кГц, I-1А, SOIC-8-150 контролер AC/DC

STM UC3845BD1013TR V-8.2~25В, 52кГц, I-1А, SOIC-8-150 к...

9.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводников..

Вид - контроллер AC/DC / Выходное напряжение (В) - 4,90 до 5,10 / Напряжение питания, В - 8,2 ~ 25 / Выходной ток, А (м/А) - 1 / Корпус - SOIC-8-150
Texas Instruments TL072CP V-3,5-18В, 2-х канал, 4МГц, DIP8 операционный усилитель

Texas Instruments TL072CP V-3,5-18В, 2-х канал, 4МГц, D...

5.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Входное напряжение смещения, мВ - 10 / Входной ток смещения, пА - 200 / Граничная частота усиления, мГц - 3 / Кол-во каналов - 2
Texas Instruments TL084CDR V-6-36В, 4-х канал, 4МГц, SO14-150 операционный усилитель

Texas Instruments TL084CDR V-6-36В, 4-х канал, 4МГц, SO...

0.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Диапазон рабочего напряжения , В - -15~15 / Напряжение питания, В - 7-36 / Входное напряжение смещения, мВ - 20 / Кол-во каналов - 4
Texas Instruments TL084CN V-6-36В, 4-х канал, 4МГц, DIP14

Texas Instruments TL084CN V-6-36В, 4-х канал, 4МГц, DIP...

40.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых пл..

Вид - операционный усилитель / Напряжение питания, В - 3-36 / Кол-во каналов - 4 / Корпус - dip14 / Напряжение смещения, мкВ - 7.5
Texas Instruments UC3842AN V-11.5~25В, 450кГц, DIP-8, контролер AC/DC

Texas Instruments UC3842AN V-11.5~25В, 450кГц, DIP-8, к...

0.00грн

Микросхема – это миниатюрное электронное устройство, которое изготавливается на полупроводниковых ..

Вид - контроллер AC/DC / Напряжение питания (аккумулятора), В - 11,5-25В / Выходной ток, А (м/А) - 1А / Корпус - DIP-8 / Макс. скважность, % - 100%
Показано с 1 по 24 из 33 (всего 2 страниц)

Радиоэлектронные компоненты

Радиоэлектронные компоненты транзисторы купить в Украине - Пан Зварювальник pz.ua (067) 535 6 535


Подписка на новости:

Нажимая на кнопку «Подписаться», я даю cогласие на обработку персональных данных.
Контакты
  • +38 (067) 535 6 535
  • +38 (050) 527 94 94
  • zakaz@pz.ua
  • 39600 Украина, Полтавская обл., г. Кременчуг, ул. Театральная, 44
  • Пн-Пт - 8-00 до 17-00, Сб - 9-00 до 14-00, Воскресенье - выходной
0
false
false
Удалить
Изменить